वुल्फस्पीडने २०० मिमी सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्सच्या व्यावसायिक लाँचची घोषणा केली

वुल्फस्पीड तात्काळ पात्रतेसाठी २०० मिमी SiC एपिटॅक्सी देखील देत आहे, जे त्याच्या २०० मिमी बेअर वेफर्ससह जोडले गेल्यास, अभूतपूर्व स्केलेबिलिटी आणि सुधारित गुणवत्ता प्रदान करते, ज्यामुळे उच्च-कार्यक्षमता असलेल्या पॉवर डिव्हाइसेसची पुढील पिढी सक्षम होते.

"वुल्फस्पीडचे २०० मिमी SiC वेफर्स हे वेफर व्यासाच्या विस्तारापेक्षा जास्त आहेत - ते एक मटेरियल इनोव्हेशनचे प्रतिनिधित्व करते जे आमच्या ग्राहकांना त्यांच्या डिव्हाइस रोडमॅप्सना आत्मविश्वासाने वेगवान करण्यास सक्षम करते," असे मुख्य व्यवसाय अधिकारी डॉ. सेंगीझ बाल्कस म्हणतात. "प्रमाणात गुणवत्ता प्रदान करून, वुल्फस्पीड पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स उत्पादकांना उच्च-कार्यक्षमता असलेल्या, अधिक कार्यक्षम सिलिकॉन कार्बाइड सोल्यूशन्सची वाढती मागणी पूर्ण करण्यास सक्षम करत आहे."

वुल्फस्पीड म्हणते की, ३५०µm जाडी असलेल्या २०० मिमी SiC बेअर वेफर्सच्या सुधारित पॅरामीट्रिक स्पेसिफिकेशन्स आणि २०० मिमी एपिटॅक्सीच्या वाढत्या डोपिंग आणि जाडीच्या एकरूपतेमुळे डिव्हाइस निर्मात्यांना MOSFET उत्पादन सुधारण्यास, टाइम-टू-मार्केटला गती देण्यास आणि ऑटोमोटिव्ह, अक्षय ऊर्जा, औद्योगिक आणि इतर उच्च-वाढीच्या अनुप्रयोगांमध्ये अधिक स्पर्धात्मक उपाय प्रदान करण्यास सक्षम करते. २०० मिमी SiC साठी हे उत्पादन आणि कार्यप्रदर्शन प्रगती १५० मिमी SiC मटेरियल उत्पादनांसाठी सतत शिक्षणासाठी देखील लागू केली जाऊ शकते, असे फर्म जोडते.

"ही प्रगती सिलिकॉन कार्बाइड मटेरियल तंत्रज्ञानाच्या सीमा ओलांडण्यासाठी वुल्फस्पीडच्या दीर्घकालीन वचनबद्धतेचे प्रतिबिंबित करते," बाल्कस म्हणतात. "हे लाँच ग्राहकांच्या गरजा अंदाज घेण्याची, मागणीनुसार वाढण्याची आणि अधिक कार्यक्षम पॉवर रूपांतरणाचे भविष्य शक्य करणारी मटेरियल फाउंडेशन प्रदान करण्याची आमची क्षमता दर्शवते."